據日經新聞周二報道，日本政府5月23日正式宣布，把尖端半導體制造設備等23個品類列入出口管理限制對象名單。經過兩個月的公示期之后，該限制措施預計于7月23日生效。

規定生效后，這23個品類除了向友好國等42個國家和地區出口外，均需要單獨得到批準。

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本次限制主要針對高端半導體制造設備，包括極紫外（EUV）相關產品的制造設備和三維堆疊存儲器的蝕刻設備等。按運算用邏輯半導體的性能來看，均屬于制造電路線寬在10～14納米以下的尖端產品所需設備。

據半導體風向標梳理，新增的清單包括曝光、刻蝕、成膜等六大類半導體設備：

熱處理相關（1類）

在0.01Pa以下的真空狀態下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進行回流（Reflow）的“退火設備（Anneal）”。

檢測設備（1類）

EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設備。

曝光相關（4類）

1.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）。

2.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）的生產設備。

3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設備（Coater Developer）。

4.用于處理晶圓的步進重復式、步進掃描式光刻機設備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數值孔徑得到的數值為45及以下）。（按照筆者的計算，尼康的ArF液浸式曝光設備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設備不在此范圍。）

干法清洗設備、濕法清洗設備（3類）

1.在0.01Pa以下的真空狀態下，除去高分子殘渣、氧化銅膜，形成銅膜的設備。

2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應腔(Multi-chamber)設備。

3.單片式濕法清洗設備（在晶圓表面性質改變后，進行干燥）。

蝕刻（3類）

1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設備。

2.濕法蝕刻設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。

3.為異向性蝕刻設備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時間不足300m秒的高速切換閥的設備。

成膜設備（11類）

1.如下所示的各類成膜設備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。

利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。

利用自下而上（Bottom-up）成膜技術，填充鈷（Co）或者鎢（W）時，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設備。

在同一個腔體（Chamber）內進行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時、利用有機化合物形成鎢（W）膜的設備。

可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態（或者惰性環境）的、含多個腔體的、可處理多個工序的成膜設備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。

利用以下所有工藝形成銅線路的設備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用PVD技術，形成銅（Cu）層膜的工藝。

利用金屬有機化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設備。

在保持晶圓溫度低于500度的同時，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設備

2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態下(或者惰性環境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設備。

3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設備。

4.“空間原子層沉積設備（僅限于支持與旋轉軸晶圓的設備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關技術手法。

5.可在400度一一650度溫度下成膜的設備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內產生的自由基(Radical)產生化學反應，從而形成薄膜的設備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。

6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設備的掩膜)的設備。

7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設備屬于管控范圍。（1）擁有多個腔體，在多個工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環境）的設備。（2）用于半導體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設計的腔體的設備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設備。

8.可利用等離子技術，形成厚度超過100納米、而且應力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設備。

9.可利用原子層沉積法或者化學氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內氟原子數量低于10¹⁹個）的設備。

10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產生間隙，利用等離子形成相對介電常數（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設備。

11.在0.01Pa以下的真空狀態下工作的退火設備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。

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