（原標題：慧智微：自主創新可重構射頻前端技術架構 賦能國產5G產業發展）

5月4日，深耕國內射頻前端國產替代的慧智微（688512.SH）開啟網上公開申購。據了解，慧智微專注于射頻前端芯片及集成化模組的設計研發，公司以射頻功率放大器PA芯片為核心，已經衍生出低噪聲放大器（LNA）、射頻開關（Switch）、集成無源器件濾波器（IPD Filter）、控制及系統級封裝等方面的設計技術，具有高集成射頻模組研發能力，下游廣泛應用于智能手機、物聯網等領域。

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公司所處的射頻前端芯片行業空間廣闊、國產化程度低，公司產品覆蓋的通信頻段包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕頻段、3GHz?6GHz的5G新頻段等，可為客戶提供無線通信射頻前端發射模組芯片、接收模組芯片等成熟的解決方案。

作為一家以技術驅動為核心競爭力科創企業，公司積極加大研發投入，2020年至2022年，公司累計研發投入48,905.65萬元，占營業收入的比例為45.37%。憑借突出的技術研發能力，2020年，公司在國產廠商中率先大規模量產5G L-PAMiF產品，并陸續應用于OPPO、三星、vivo等品牌客戶機型。目前，大基金二期持有公司6.54%股份。

自研可重構射頻前端平臺 “絕緣硅+砷化鎵”鑄造競爭壁壘

在射頻功率放大器領域，傳統射頻PA采用全砷化鎵功率放大器結合體硅控制器的寬帶設計架構，該設計架構已經被國際射頻前端龍頭企業所壟斷。如果新進企業采用固有的技術跟隨和產品模仿策略，則需要多次設計迭代找到最優設計方案，同時全球產能供應有限，成本較高，嚴重依賴規模效應，為國產廠商設置了較大的專利門檻、規模門檻和成本門檻。

公司研發了擁有自主知識產權的AgiPAM?可重構射頻前端平臺，采用“絕緣硅（SOI）+砷化鎵（GaAs）”的混合架構，創新性的將模擬預失真（APD）應用于多頻段、多模式和多載波的4G/5G系統中，同時提出并設計了可重構射頻功放的記憶效應消除電路，突破國際巨頭的專利壁壘。

公司“多頻多模移動終端可重構射頻芯片關鍵技術與產業化應用”項目獲得了2021年通信學會科學技術一等獎。據了解，獲獎產品相對于傳統方案芯片產品，在移動終端射頻芯片關鍵頻段的功耗降低了15%、線性度改善了4dBc、負壓電路啟動時間減少50%，大幅提升射頻前端的集成度，并在射頻前端中成功實現全倒裝封裝，進而實現產品性能提升、成本降低。

深度布局5G射頻前端產品線，引領5G L-PAMiF產品演進

在5G市場中，由于新頻段（3GHz?6GHz）的高頻率、大帶寬、高功率特征，為射頻功率放大器的設計帶來較大挑戰，且對射頻前端器件的集成度要求越來越高。慧智微基于底層技術架構創新，于2020年推出5G新頻段L-PAMiF全集成發射模組產品進入頭部客戶供應體系，已在OPPO、三星等品牌機型上大規模量產應用，產品受到市場的認可度較高，報告期內累計出貨已超千萬顆。

公司的5G新頻段L-PAMiF在國產廠商持續保持技術領先優勢，該產品在2020年中國集成電路產業促進大會中榮獲第十五屆“中國芯”年度重大創新突破產品，系該獎項設立以來的首個獲獎的射頻前端產品。

公司持續跟進客戶需求和技術升級趨勢，為全球客戶提供完整的5G新頻段射頻前端解決方案。目前，公司在售的產品型號眾多，產品系列覆蓋的通信頻段需求包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕頻段、3GHz~6GHz的5G新頻段等，后續推出的多款產品均榮獲大獎。如可支持n77/n78頻段的1T1R/1T2R L-PAMiF產品榮獲第十六屆“中國芯”優秀技術創新產品獎、可重構多頻多模功率放大器模組（MMMB PAM）榮獲第十七屆“中國芯”優秀市場表現產品獎項。

憑借高集成度、高性價比、性能可靠穩定的特點，以及5G新頻段產品的口碑和技術沉淀，公司贏得了頭部客戶的認可，形成了良好的品牌效應。目前，公司的射頻前端模組已經在三星全球暢銷系列A22 5G手機、OPPO、vivo、榮耀等智能手機機型中實現大規模量產，并進入聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等一線移動終端設備ODM廠商。

此外，公司積極布局物聯網領域，在2G/3G退網的趨勢下大力拓展LTE Cat.1 蜂窩連接領域的市場機會。公司已經與頭部的Cat.1通信模塊公司達成戰略合作，4G發射模組進入移遠通信、廣和通、日海智能等頭部無線通信模組廠商，廣泛應用于資產追蹤、車載運輸、數字標牌、無線支付、智慧能源、智能可穿戴設備等眾多物聯網場景。

高集成化的技術儲備充分 L-PAMiD 產品有望繼續領先

公司以研發創新為核心，截至2022年末公司研發團隊共計212人，核心技術人員平均從業年限超過15年，具備從砷化鎵器件、絕緣硅器件、基板，到集成化模組等完整的研發設計能力，可同時支撐超過10個中大型研發項目。

公司沉淀了大量的技術積累，形成了完善的產品矩陣。例如，公司的“多功能模塊的低互擾高集成技術”可以實現將多個絕緣硅材料的晶圓進行單芯片集成，降低了5G新頻段射頻前端空間布局的難度，有利于實現高集成度；公司采用全倒裝封裝技術，提高了器件之間的排布密度, 實現射頻前端模組的小型化，提高了高集成度、高功率產品的散熱能力。此外，公司在可重構射頻前端架構中積累了處理大帶寬、大電流、線性度不足等技術問題的相關技術和經驗。

慧智微基于自主創新的技術架構，優化芯片面積和性能，具有5G L-PAMiF高集成模組的成功基礎，以及在手機客戶端領先的技術認知，慧智微有望實現L-PAMiD的產品在國內行業內繼續領先。

截至報告期末，公司已獲取境內發明專利66項，境外發明專利25項。一方面，公司在射頻前端領域構筑了完整的專利池，規避采取跟隨策略帶來的專利風險；另一方面，高集成度相關的技術積累將助力公司持續發展。二者共同支撐公司走向國際市場、參與全球化競爭。

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